Инженер-технолог

Контроль прохождения партий изготавливаемых методом жидкофазной эпитаксии GaAs (LPE-GaAs) полупроводниковых структур (диоды, транзисторы и т. д.) по технологическому маршруту;
Измерение и анализ параметров эпитаксиальных полупроводниковых структур и исходных подложек (удельное сопротивление, концентрация, подвижность и время жизни носителей заряда, визуальный и геометрический контроль, измерение емкости, ВАХ);
Анализ и выявление причин брака, участие в разработке мероприятий по предупреждению и устранению брака;
Разработка технологических маршрутов изготовления изделий, разработка и освоение новых технологических процессов, и внедрение их в производство;
Выполнение НИР и ОКР по разработке новых эпитаксиальных полупроводниковых структур полупроводниковых приборов, постановка на производство новых изделий;
Разработка конструкторской и технологической документации, проведение изменений в документации, разработка технологических инструкций, маршрутных и операционных карт.
Высшее образование по направлению: «материаловедение полупроводников и диэлектриков», «технология материалов электронной техники», «микроэлектроника и твердотельная электроника»; - знание технологии роста эпитаксиальных полупроводниковых структур;
Знание измерений параметров полупроводниковых материалов и структур;
Знание физических основ работы полупроводниковых приборов (диоды, транзисторы и т.д.);
Знание нормативной документации и методов контроля качества;
Знание принципов работы технологического оборудования полупроводникового производства;
Знание порядка проведения НИР и ОКР по разработке полупроводниковых приборов и микросхем;
Опыт работы в области изготовления эпитаксиальных полупроводниковых структур.